삼성전자는 64K F램(Ferro-electric ram 강유전체 메모리반도체)샘플을 생
산, 수요업체들에 평가를 의뢰했다고 8일 발표했다.

F램은 D램의 대용량 정보저장기능, S램의 고속동작기능, 플래쉬 메모리램의
전원이 꺼져도 데이타가 지워지지 않은 기능 등을 결합한 차세대 반도체다.

삼성이 샘플형태로 내놓은 64K F램은 메모리 셀 회로를 한개의 트랜지스터
와 한개의 캐패시터로 구성하고 이중의 금속배선공정을 적용한 점이 특징이
다.

이에따라 셀 회로가 두개의 트랜지스터와 두개의 캐패시터로 구성된 기존 F
램에 비해 동작속도가 2배 빠르고 데이타 저장기능도 크게 확충됐다고 삼성
은 설명했다.

삼성은 업체들로부터 샘플에 대한 성능평가를 받은후 내년 2.4분기부터 대
량생산, 휴대폰업체와 멀티미디어기기업체에 공급할 계획이다.

삼성 관계자는 "지난 96년 개발한 64K F램 시제품을 2년여동안 연구끝에 상
업화 직전단계인 엔지니어링 샘플로 출시했다"며 64K F램 생산 기술을 바탕
으로 4메가, 16메가 F램도 조기에 생산할수 있을 것이라고 말했다.

F램은 대용량제품이 생산되는 내년부터 S램과 플래쉬 메모리시장을 대체하
기 시작, 2000년에는 시장규모가 약 30억달러로 늘어날 것으로 삼성은 예상
했다.

박주병 기자 jbpark@

( 한 국 경 제 신 문 1998년 11월 9일자 ).